Разместить информацию

Лучшее предложение:

Штуцер керамический

Цена: 1 руб
Техническая керамика
Нижегородская область г. Дзержинск Западный пер., дом 5
+7-8313-244026

Компании на карте Дзержинск( 1 )

Купить Карбиды кремния в Дзержинске предлагают 1 компаний. Отправьте им единый запрос для уточнения цен и условий.. Изменить регион

Карбид кремния

Карбид кремния

г.Березовский
сравнить
Цена: 284 руб
Задать вопрос
+7-343-3859487
г. Березовский, Берёзовский тракт, 5
Отправить сообщение
карбид кремния

карбид кремния

г.Волжский
сравнить
Цена: догов.
Задать вопрос
+8-902-6562569
г. Волжский, ул.Автодорога 7, 6Б
Отправить сообщение
карбид кремния

карбид кремния

г.Волжский
сравнить
Цена: догов.
Задать вопрос
+7-961-0738951
г. Волжский, 2-индустриальный проезд. стр. 3
Отправить сообщение
Карбид кремния

Карбид кремния

г.Милан
сравнить
Цена: догов.
Задать вопрос
+39-025-0729251
г. Милан, Milano Via Fantoli 5/7
Отправить сообщение
no photo

карбид кремния

г.Екатеринбург
сравнить
Цена: догов.
Задать вопрос
+7-961-7643848
г. Екатеринбург, малышева 8
Отправить сообщение

Выводить по: 2050100

Ищите где купить Карбиды кремния? Разместите спрос на портале и лучшие поставщики сами найдут Вас!

Полезная информация

ТЕХНИЧЕСКАЯ КЕРАМИКА
уплотнительных элементов. • осевые опоры вала • опорные/ упорные направляющие с "смазочными карманами" • тарелки, седла и клапана Клапаны (седло-шарик) специального исполнения из материала – карбида кремния или вольфрама предназначены для использования ... подробнее
Как выбрать светодиодную лампочку?
светодиоды сделаны на основе технологии, использующей карбид кремния. Обычно это американские или немецкие светодиоды. Качественная светодиодная лампа должна иметь хорошую упаковку с указанием производителя, штрих кодом, необходимыми артикулами ... подробнее

Особенности технологии карбида кремния

Собственный расплав SiC может существовать лишь при высоких температурах и давлениях. Это не позволяет использовать применяемые в кремниевой технологии методы выращивания объемных монокристаллов. Рост из паровой фазы по сути единственный метод выращивания монокристаллов SiC достаточно больших размеров. Метод основан на транспорте паров материала от сублимирующего горячего источника, нагреваемого до температуры 2300-24000С, в более холодную зону и осаждение на специальной затравке. Однако проблема выращивания монокристаллов высокого качества, большого размера и контролируемого политипа не решена до сих пор. Максимальный размер подложек из карбида кремния – 60х60 см2.

Фундаментальным процессом микроэлектроники является эпитаксия. В настоящее время реализованы три варианта эпитаксиального роста SiC: автоэпитаксия, гетероэпитаксия и гетерополитипная эпитаксия. (гетерополитипная эпитаксия – наращивание слоя SiC, политип которого отличается от политипа подложки из SiC). Реализуются эти варианты эпитаксии с помощью следующих методов: сублимационной, жидкофазной и газофазной эпитаксий.

Сублимационная эпитаксия SiC основана на кристаллизации материала из собственного пара. В этом методе эпитаксии одной из основных проблем является поддержание равновесного состава пара над растущей пленкой. Поскольку собственный пар SiC сильно обогащен кремнием, нагрев карбида кремния в незамкнутой системе приводит к графитизации его поверхности и прекращению эпитаксиального роста. Для предотвращения потери паров кремния используют сэндвич-вариант сублимационной эпитаксии. В этом случае источник и подложка отделены друг от друга лишь небольшим зазором (около 1 мм). В такой квазизамкнутой системе состав пара достаточно близок к равновесному.

SiC при атмосферном давлении не имеет собственного расплава, однако он растворяется в расплаве Si при температурах выше 15000С. Это используется при жидкофазной эпитаксии слоев SiC, которая в принципе не отличается от жидкофазной эпитаксии соединений AIIIBV.

Наилучшие результаты по эпитаксиальному наращиванию SiC получены методом газофазной эпитаксии. Этот метод в настоящее время является основным в технологии SiC. Процесс в принципе не отличается от газофазной эпитаксии Si. Кроме силана в водородный поток добавляют углеродсодержащий газ (чаще всего пропан). Процесс разложения газовой смеси и эпитаксиальное наращивание проводят при температуре не ниже 1300 0С.

В случае, когда легирование эпитаксиальных слоев SiC производится непосредственно в процессе эпитаксиального роста, источники легирующих примесей подаются в реактор ХОГФ. Это триметилалюминий и диборан в качестве источников акцепторной примеси; азот и реже фосфин – в качестве донорной примеси. Возможности управления уровнем легирования за счет простого регулирования расхода газа, содержащего легирующую примесь, ограничены с точки зрения получаемого диапазона уровня легирования и воспроизводимости результатов. Диапазон уровня легирования и воспроизводимость результатов значительно возросли после того, как было обнаружено, что на процесс легирования оказывает существенное влияние соотношение расходов газов источников Si и С (т.е. Si/С). Таким образом, управляя соотношением Si/C в реакторе, можно эффективно управлять уровнем легирования эпитаксиального слоя SiC. Было обнаружено, что в процессе легирования атомы азота замещают преимущественно атомы углерода, атомы алюминия и фосфора – преимущественно атомы кремния, атомы бора могут замещать как атомы Si, так и С. То есть, в процессе роста пленки наблюдается конкурирующий процесс занятия положения Si или С в кристаллической решетки со стороны легирующей примеси. В результате, увеличивая или уменьшая соотношение Si/C, можно изменять степень замещения кремния или углерода той или иной примесью.

  • Насадки из карбида кремния
  • Кремний
  • Карбид
  • Диоксиды кремния
  • Соединения кремния
  • Кремнии к зажигалкам
  • Кремний металлический
  • Карбиды кальция
  • Карбиды технические
  • Карбид бора